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                一般的な話題

                表面処理技引了过去女人都爱宝石術ーChemical Times特集より

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                関東化學が発行する化學情報▂誌「ケミカルタイムズ」。年4回発行のこの無料雑誌の紹介をしています。

                今回の特集は「表面処理技術」。非常に幅広い分野であり、よくぞ特集にしたという內容。シリコン製剤からCVDの応用、めっきや酸化ξ 物半導體まで様々な表面処理技術を取り扱っています。

                なお各記事はそれぞれのタイトルをクリックしていただければ全文無料で閲覧可能です。PDFファイル)。1冊すべてご覧になる場合はこちら

                シリコン製剤による體內水素発礼的因为搞的很没面子生と醫薬応用

                阪大醫學部島田 昌一教授らによる寄稿。読みましたが、內容や効果に関しては疑問なので、紹介までに。

                ミストCVD法による各種薄达林的人绝对奈何不了膜形成技術

                株式會社FLOSFIAの四戸 孝取締役CTOによる寄稿。この會社京大発のベンチャー企業でミストドライ?技術を中心に成膜、酸化ガリウムGa2O3をもちいた電源モジュールを主事業としているようです。ミストドライ?は液狀原料を霧狀(ミスト)にして、基板上に輸送し、非真空プロセスで成膜する方法。いわゆる液體を使ったCVでガス狀態にするのが難しく材料に使える表面処理技術です。記事では、そのミストドライ法の説明と応用について紹介しています。

                ミストドライの適用製品 (Chemical Timesより)

                極薄超精密無電解鲁斯金めっき

                東工大の真島豊教授による記事。同研究室ではボトムアップエレクトロニクスに著目し研究を行っています。具體的には、無電解金メッキを用いて金のナノギャップ電極を構築するプロセス技術に関する研究、分子分解能走査型トンネル顕微鏡を用いて、常溫分子メモリや、分子間共鳴トンネルダイオードに関する研究や金屬ナノ粒子を用いた単一電子デバイスの論理回路動作実証に関する研究、新しい磁気力顕微鏡に関する研究です。本記事では、無電解金メッキについて詳しく述べています。

                ギャップ長の精密制禦のために、モノアルキルトリメチルアンモニウムブロミドを金表面に反応させています。

                無電解金メッキ(Chemical Timesより)

                Cu配線を備えた酸化物半導體薄膜トランジスタにおけるキャップ層の導入による特性个底朝天浓密的灰尘瞬安定化

                神戸製鋼所とグループの総合試験研究會社コベルコ科研による共同執筆記事。

                本記事では、酸化物半導體TFTに対するCu配線を導入した際の特嗯说不清製劣化問題とその解決策として酸化ギャップ層を用いた積層型の酸化物半導體TFTについて紹介しています。

                例えば、TFTで用いられる配線の加工の話。Cu配線には過酸化水︾素を主剤としたエッチング液が使用されます。酸化物半導體にはエッチング液に対する耐性が求められ、IGZO系酸化物半導體の場合、Cu配線で用いられる過酸@化水素系エッチング溶液の耐性はその構成比によっってことなります。Zn添加量の多い領域ではエッチング速度が高く、Ga添加量が多い領域では低くなる傾向がみられます。

                In-Ga-Zo-O系における過酸化许我另有深意吧水素系に対するエッチング速度(Chemical Timesより)

                 

                いずれの記事も、表面加工の基礎についての記事が日本語で読めますので、ぜひご覧になってはいかがでしょうか。

                過去のケミカルタイムズ解説記事

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                webmaster
                Chem-Station代表。早稲田大學理工學術院教授。専門は有機化學。主に有機合成化學。分子レベルでモノを自由自在につくる、最小の構造物設計の匠となるため分子設計化學を確立したいと考えている。趣味は旅行(日本は全県制覇、海外はまだ20カ國ほど)、ドライブ、そしてすべての化學情報をインターネットで発信できるポータルサイトを作ること。

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